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银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长特性

张旭 周京福 薛增泉 吴全德

银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长特性

张旭, 周京福, 薛增泉, 吴全德
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出版历程
  • 收稿日期:  1987-08-18
  • 刊出日期:  2005-07-06

银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长特性

  • 1. 北京大学无线电电子学系

摘要: 本文在透射电子显微镜上观察了金属银超微粒子在半导体氧化钡薄膜中的生长。实验发现,当经过一定的热处理后,金属银在氧化钡中能形成很好的超微粒子。我们还比较了单层制备和多层制备得到的Ag+BaO薄膜的结构差别。同时,考查了含银量不同的Ag+BaO薄膜银超微粒子的生长特点,发现当银量较大时,在Ag+BaO薄膜中,Ag超微粒子并不彼此连接起来形成金属迷津通道,而仍形成孤立的大微粒,微粒之间隔有几个nm的BaO层。

English Abstract

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