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小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率

谌季强 龙期威 汪克林

小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率

谌季强, 龙期威, 汪克林
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  • 若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态,则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性。这种温度依赖性有两种类型,且比捕获率的取值也可能相当高,显示了与位错的很大不同。
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-10-11
  • 刊出日期:  2005-07-08

小空位团浅能级对正电子的声子激发比捕获率

  • 1. (1)中国科学技术大学基础物理中心; (2)中国科学院国际材料物理中心,沈阳; (3)中国科学院国际材料物理中心,沈阳,中国科学院金属研究所

摘要: 若小空位团中存在束缚能小于晶体德拜能量的正电子捕获态,则这一能态对自由正电子的捕获具有较强的温度依赖性。这种温度依赖性有两种类型,且比捕获率的取值也可能相当高,显示了与位错的很大不同。

English Abstract

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