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非晶Fe80B20-xMx合金的电子结构的穆斯堡尔谱学研究

U. GONSER 许裕生 蒋华莉

非晶Fe80B20-xMx合金的电子结构的穆斯堡尔谱学研究

U. GONSER, 许裕生, 蒋华莉
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出版历程
  • 收稿日期:  1988-08-15
  • 刊出日期:  2005-07-08

非晶Fe80B20-xMx合金的电子结构的穆斯堡尔谱学研究

  • 1. (1)Fachbereich 12.1,Angewandte Physik,Universitat des Saarlandes,D-6600 Saarbrucken,B. R. D.; (2)苏州大学物理系

摘要: 从4.2K和室温下非晶Fe80B20-xMx合金(M=P,C,Si,Ge)中超精细场和同质异能移的变化关系考察了合金的电子结构.按“刚带-施主”模型估计了从类金属原子向Fe的3d带迁移的电子数;进一步的分析表明,Fe的4s电子在这一电子迁移过程中的影响不可忽略.对于Fe原子磁矩的变化同反方向的电子迁移之间的矛盾,它给出了一个可能的解释.

English Abstract

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