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硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

申三国 范希庆 张德萱 任尚元

硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

申三国, 范希庆, 张德萱, 任尚元
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-06-26
  • 刊出日期:  2005-06-17

硅中四空位扩展的Koster-Slater模型

  • 1. (1)郑州大学物理系,郑州,450052; (2)中国科学技术大学物理系,合肥,230026

摘要: 本文用扩展的Koster-Slater模型计算了硅中V4-未配对电子的对称化波函数,用算得的波函数计算了缺陷电子局域在最近邻每个原子上的η2及其s特征α2,和超精细相互作用常数,确定V4-处于深能级为0.78eV的A1对称态,给出与现有实验值相符合的结果。并指出,V4-的单个悬挂键上的η2比其它具有单个悬挂键的缺陷小,是由于V4-的势分布向一侧有较大偏重所致。

English Abstract

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