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用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化

陈国明 陈国樑 杨絜 邹世昌 朱德彰 潘浩昌 曹建清 朱福英

用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化

陈国明, 陈国樑, 杨絜, 邹世昌, 朱德彰, 潘浩昌, 曹建清, 朱福英
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出版历程
  • 收稿日期:  1989-10-18
  • 刊出日期:  2005-06-17

用高分辨率沟道背散射谱仪研究硅的低能氮离子氮化

  • 1. (1)中国科学院上海冶金研究所,上海,200050; (2)中国科学院上海原子核研究所,上海,201800

摘要: 用高分辨率沟道背散射技术研究了低能N离子注入单晶硅形成氮化硅的过程。测出了N和位移Si原子的深度分布。提出在N离子注入时同时存在着三个过程——注入、溅射和释放。由此建立了一个微分方程描写样品中剩余N的浓度变化,并讨论了氮化硅形成机制。

English Abstract

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