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SiH4紫外多光子电离光谱的转动分析

陆庆正 丁传凡 高建谧 孔繁敖

SiH4紫外多光子电离光谱的转动分析

陆庆正, 丁传凡, 高建谧, 孔繁敖
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  • 本工作用激光扫描步长6×10-4nm观测了SiH4多光子电离光谱中363.52nm附近的精细结构。SiH4被三光子共振激发后,作为略不对称陀螺处理。大多数转动谱线被论证为v2振动垂直谱带的一个Q支,并推算出激发态转动常数B'=3.04±0.01cm-1。
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出版历程
  • 收稿日期:  1990-03-05
  • 刊出日期:  2005-06-28

SiH4紫外多光子电离光谱的转动分析

  • 1. (1)中国科学技术大学近代化学系,合肥,230026; (2)中国科学技术大学近代化学系,合肥,230026;中国科学院化学研究所,北京,100080

摘要: 本工作用激光扫描步长6×10-4nm观测了SiH4多光子电离光谱中363.52nm附近的精细结构。SiH4被三光子共振激发后,作为略不对称陀螺处理。大多数转动谱线被论证为v2振动垂直谱带的一个Q支,并推算出激发态转动常数B'=3.04±0.01cm-1。

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