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InSb(111)表面硫处理的研究

董国胜 陆春明 李喆深 王迅

InSb(111)表面硫处理的研究

董国胜, 陆春明, 李喆深, 王迅
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出版历程
  • 收稿日期:  1991-06-06
  • 刊出日期:  2005-07-03

InSb(111)表面硫处理的研究

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金

摘要: 本文用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱和紫外光电子能谱对用硫化铵溶液处理的InSb表面进行研究。结果表明,硫处理以后在样品表面生成。一层厚度约8?的硫化物钝化层,它对防止表面的氧化和碳沾污有明显的钝化作用。钝化层中,破原子既与锑原子成键,引起Sb3d芯能级发生1.9eV的化学位移;又与铟原子成键,引起In4d芯能级发生0.6—0.7eV的化学位移。350℃的真空退火使锑的硫化物发生分解。500℃退火没能使铟的硫化物完全分解,仍有一部分硫原子以铟的硫化物形式留在样品表面。

English Abstract

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