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形变超晶格Si/Ge的能带结构

乔皓 资剑 徐至中 张开明

形变超晶格Si/Ge的能带结构

乔皓, 资剑, 徐至中, 张开明
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-10-20
  • 刊出日期:  2005-07-10

形变超晶格Si/Ge的能带结构

  • 1. 复旦大学物理系,上海200433

摘要: 用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)n/(Ge)m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)6/(Ge)4和(Si)8/(Ge)2超晶格在Si1-xG

English Abstract

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