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(110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱

程文芹 刘双 周均铭 刘玉龙 朱恪

(110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱

程文芹, 刘双, 周均铭, 刘玉龙, 朱恪
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-09-08
  • 刊出日期:  2005-07-10

(110)取向的调制掺杂GaAs-AIGaAs单异质结的光致荧光谱

  • 1. 中国科学院物理研究所,北京100080

摘要: 测量了含碳量高低不同的(110)取向的调制掺杂GaAs-Al0.3Ga0.7As单异质结在4.2K下的光致荧光谱。在含碳量高的样品中,出现了强的沟道二维电子到受主的复合荧光峰;而在含碳量很低的样品的光致荧光中则只出现体GaAs的荧光峰。

English Abstract

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