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Pd2Si的生成对Pd/Si多层膜衍射性能的影响

殷士龙 王兵 高琛 吴自勤 王晓平 赵特秀

Pd2Si的生成对Pd/Si多层膜衍射性能的影响

殷士龙, 王兵, 高琛, 吴自勤, 王晓平, 赵特秀
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出版历程
  • 收稿日期:  1992-04-20
  • 刊出日期:  2005-07-10

Pd2Si的生成对Pd/Si多层膜衍射性能的影响

  • 1. (1)河海大学数理系,南京210024; (2)中国科学技术大学基础物理中心,合肥230026; (3)中国科学技术大学物理系,合肥230026
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    中国科学技术大学结构分析开放研究实验室科研基金

摘要: 本文研究了Pd2Si的生成对周期性Pd/Si多层膜X射线衍射性能的影响。X射线衍射强度的测量数据表明Pd2Si的生成对长周期多层膜的衍射强度影响不大,但对短周期多层膜衍射强度的影响较大。在引入折射率修正后,我们不仅用单个峰的位置计算了多层膜的周期,而且还用了以两个峰的位置联立消去折射率修正的方法计算了多层膜的周期,前者的误差大于后者。模拟计算的结果说明:均匀Pd2Si层的生成不足以解释Pd/Si多层膜衍射强度随退火温度的变化,界面的平整化或粗糙化是影响衍射强度的另一个要素。

English Abstract

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