搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究

郏正明 杨根庆 程兆年 柳襄怀 邹世昌

低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究

郏正明, 杨根庆, 程兆年, 柳襄怀, 邹世昌
PDF
导出引用
计量
  • 文章访问数:  2890
  • PDF下载量:  616
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1993-12-14
  • 刊出日期:  1994-11-20

低能粒子轰击对Si(001)-2×1表面原子行为的影响:分子动力学模拟研究

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所离子束开放研究实验室

摘要: 对1─100ev的低能位子轰击Si(001)-2×1表面进行了分子动力学模拟研究,利用二维偶对相关函数分析了低能轰击对表面层原子行为的影响。研究表明,10eV,100eV粒子的轰击,一方面增强了表面原子形成二聚体的能力,使表面二聚体成键数量增加;另一方面,也使表面原子的排列更趋无序。1eV的粒子对表面原子行为的影响不大,只是使表面原子的振动加剧。

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回