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BaSn1-xSbxO3-δ和Ba1-yLaySnO3-δ的导电机制

中村哲朗 黄桐凯

BaSn1-xSbxO3-δ和Ba1-yLaySnO3-δ的导电机制

中村哲朗, 黄桐凯
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-11-17
  • 刊出日期:  1994-11-20

BaSn1-xSbxO3-δ和Ba1-yLaySnO3-δ的导电机制

  • 1. (1)东京工业大学工业材料研究所; (2)上海大学物理系
    基金项目: 

    上海大学青年科学研究基金和国家教育委员会留学人员服务中心基金的资助.

摘要: 测量了BaSn1-xSbxO3-δ和Ba1-yLaySnO3-δ样品的低温电阻率和磁化率.实验结果表明,在较低温度区域,两类样品的导电机制均是传导电子的范围可变跳跃。而在较高温度区域,BaSn1-xSbxO3-δ样品的电导主要是电子从定域态到扩展态的跃迁所贡献,Ba1-yLaySnO3-δ样品的电导则可能来源于电子的最近邻跳跃。

English Abstract

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