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低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

卢励吾 周洁 封松林 段树坤

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

卢励吾, 周洁, 封松林, 段树坤
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出版历程
  • 收稿日期:  1993-07-01
  • 刊出日期:  1994-05-20

低压-金属有机物汽相外延生长的Ga1-xInxAs/InP激光器中深能级的研究

  • 1. (1)北京半导体超晶格国家重点实验室,中国科学院半导体研究所; (2)北京集成光电子学联合实验室中国科学院半导体研究所实验区

摘要: 应用深能级瞬态谱(DLTs)技术详细研究低压-金属有机物汽相外延(LP-MOVPE)生长的Ga0.47In0.53As/Inp量子阱、宽接触和质子轰击条形异质结激光器中的深能级。样品的DLTS表明,在宽接触激光器的i-Ga0.47In0.53As有源层里观察到H1(Ev+0.09eV)和E1(Ec-0.35eV)陷阱,它们可能分别与样品生长过程中扩散到i-Ga0.4

English Abstract

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