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Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

沈电洪 包昌林 陆华 张小军 林彰达

Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

沈电洪, 包昌林, 陆华, 张小军, 林彰达
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-03-18
  • 刊出日期:  1995-02-20

Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

  • 1. 中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在

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