Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

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Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

沈电洪 , 包昌林 , 陆华 , 张小军 , 林彰达

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凝聚物质：结构、热学和力学性质

Ti/AIN陶瓷界面反应的光电子能谱研究

沈电洪, 包昌林, 陆华, 张小军, 林彰达

物理学报, 1995, 44(2): 259-265.

doi: 10.7498/aps.44.259

cstr: 32037.14.aps.44.259

Shen Dian-Hong, Bao Chang-Lin, Lu Hua, Zhang Xiao-Jun, Lin Zhang-Da

Acta Phys. Sin., 1995, 44(2): 259-265.

doi: 10.7498/aps.44.259

cstr: 32037.14.aps.44.259

摘要

用X射线光电子能谱(XPS)研究了在室温和超高真空条件下金属Ti淀积在AlN陶瓷表面上的化学反应过程.在金属Ti淀积之前,从AlN陶瓷的能谱中的Ols和Al2P的结合能可以看到因是样品的主要杂质,而且样品表面部分的Al被氧化.当样品淀积了金属Ti以后,发现刚淀积上去的Ti是氧化状态,还发现在Ti淀积的同时则Nls在高结合能处(402和406eV)出现新峰.随着Ti淀积厚度的增加,Ti低结合能的成份在增加而Al的氧化成份逐渐增加,Nls高结合能处的峰(402和406eV)也逐渐增高,更进一步成为主导地.N在
Abstract
作者及机构信息
沈电洪,

包昌林,

陆华,

张小军,

林彰达

1.
中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京100080

基金项目: 国家自然科学基金资助的课题.
Authors and contacts
Shen Dian-Hong,

Bao Chang-Lin,

Lu Hua,

Zhang Xiao-Jun,

Lin Zhang-Da

1.
中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室,北京100080
参考文献

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第44卷，第2期 - 1995年01月20日

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