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移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟

郎维和 张宝峰 严北平 刘家璐 张廷庆 王朝东

移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟

郎维和, 张宝峰, 严北平, 刘家璐, 张廷庆, 王朝东
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出版历程
  • 收稿日期:  1994-02-25
  • 刊出日期:  1995-03-20

移动加热器法生长碲镉汞晶体的数值模拟

  • 1. (1)电子工业部第11研究所,北京100015; (2)西安电子科技大学微电子学研究所,西安710071

摘要: 提出采用移动加热器(THM)法在稳态条件下生长碲镉汞晶体的理论模型.该模型利用与时间相关的一维物质扩散方程组,熔区自由边界通过考虑相图来确定,没有考虑对流的影响.给出了x=0.2时碲镉汞晶体生长过程的数值解.结果表明,在生长初始阶段,生成晶体的组分是不均匀的,其长度与生长条件如熔区长度、加热器移动速度、温场分布等因素有关,在初始阶段过后,生成晶体的组分接近多晶料的组分.

English Abstract

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