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单温度梯度气相法生长C70单晶

物理学报, 1995, 44(3): 488-491.
DOI: 10.7498/aps.44.488
CSTR: 32037.14.aps.44.488

Acta Phys. Sin., 1995, 44(3): 488-491.
DOI: 10.7498/aps.44.488
CSTR: 32037.14.aps.44.488
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  • 摘要

    用单温度梯度气相法生长了线度达1.1mm的C_(70)单晶.经外形和四圆X射线衍射分析,在室温下,C_(70).单晶为理想的hcp结构,晶格常数分别为a=b=1.0615nm,c=1.7246nm,c/a=1.625.

     

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