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二维Bloch电子在电场和磁场作用下输运的突变现象及非线性理论分析

田强 马本堃 朱轶男

二维Bloch电子在电场和磁场作用下输运的突变现象及非线性理论分析

田强, 马本堃, 朱轶男
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出版历程
  • 收稿日期:  1996-04-18
  • 修回日期:  1996-06-03
  • 刊出日期:  1997-04-20

二维Bloch电子在电场和磁场作用下输运的突变现象及非线性理论分析

  • 1. 北京师范大学物理系
    基金项目: 

    国家科学技术委员会攀登计划非线性项目资助的课题.

摘要: 磁场作用下二维Bloch电子,在非极低温情况下,电子Bloch能带的磁致裂隙对电子运动的影响将不重要,这时在准经典近似下分析霍耳漂移速率.通过数值求解,得到不同磁感应强度下波矢空间的稳定唯一周期解或稳定焦点不动解,并通过大量数值计算找出了参数空间中周期解与不动解的参数划分;进一步给出了霍耳漂移速率随磁感应强度变化过程中的突变现象.数值解的性质与Poincaré-Bendixson定理相一致

English Abstract

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