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掺铒SiOx的光致发光特性

万 钧 盛 篪 陆 肪 龚大卫 樊永良 林 峰 王 迅

掺铒SiOx的光致发光特性

万 钧, 盛 篪, 陆 肪, 龚大卫, 樊永良, 林 峰, 王 迅
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-02-05
  • 刊出日期:  1998-10-20

掺铒SiOx的光致发光特性

  • 1. 复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433
    基金项目: 

    国家自然科学基金资助的课题.

摘要: 利用分子束外延设备生长了掺铒SiOx,观察到铒掺入的同时O的掺入效率也得到提高.铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应,以络合物形式掺入硅中,从而提高了硅中氧的浓度.测量了铒在SiOx中的光致发光特性,结果表明掺铒的SiOx的发光强度从18K到300K仅下降了约1/2,这说明Er掺在SiOx中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径,最后讨论了温度淬灭的机制.

English Abstract

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