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中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究

袁泽亮 丁训民 胡海天 李哲深 杨建树 缪熙月 陈溪滢 曹先安 侯晓远 陆尔东 徐世红 徐彭寿 张新夷

中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究

袁泽亮, 丁训民, 胡海天, 李哲深, 杨建树, 缪熙月, 陈溪滢, 曹先安, 侯晓远, 陆尔东, 徐世红, 徐彭寿, 张新夷
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出版历程
  • 收稿日期:  1997-05-04
  • 刊出日期:  1998-01-20

中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面的研究

  • 1. (1)复旦大学应用表面物理国家重点实验室,上海 200433; (2)中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230019
    基金项目: 

    国家教育委员会跨世纪人才培养计划和国家杰出青年科学基金资助的课题-

摘要: 采用同步辐射光电子能谱(SRPES)结合扫描电子显微镜(SEM)和称量法,研究了中性(NH4)2S溶液钝化GaAs(100)表面,并与常规(NH4)2S碱性溶液钝化方法进行了比较- SRPES结果表明该处理方法可以产生较厚的Ga硫化物层和较强的Ga—S键,Ga的硫化物有好的稳定性-称量法表明该方法有更低的腐蚀速率-SEM结果表明该方法钝化处理的GaAs表面所产生的腐蚀坑数目少,直径小-

English Abstract

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