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赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

桂永胜 郑国珍 郭少令 褚君浩 汤定元 陈建新 李爱珍

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

桂永胜, 郑国珍, 郭少令, 褚君浩, 汤定元, 陈建新, 李爱珍
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-06-22
  • 刊出日期:  1999-01-20

赝形InGaAs/InAlAs渐变异质结中的零磁场自旋分裂

  • 1. (1)中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海 200083; (2)中国科学院上海冶金研究所功能材料国家重点实验室,上海 200050

摘要: 在赝形渐变InGaAs/In0.52Al0.48As异质结的二维电子气中,发现了自旋方向向上的电子和自旋向下的电子在零磁场下存在着自旋分裂.利用Shubnikov-de Haas振荡研究了异质结中的自旋分裂行为,通过振荡中的拍频现象,发现了零磁场下的自旋分裂量为8.76meV.

English Abstract

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