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Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究

张昊翔 卢焕明 叶志镇 赵炳辉 汪 雷 阙端麟

Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究

张昊翔, 卢焕明, 叶志镇, 赵炳辉, 汪 雷, 阙端麟
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出版历程
  • 收稿日期:  1998-09-29
  • 修回日期:  1998-11-23
  • 刊出日期:  1999-07-20

Si基GaN外延层光致发光光谱与二次离子质谱的研究

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州 310027
    基金项目: 

    国家教育委员会“跨世纪优秀人才计划”基金和国家自然科学基金(批准号:69890230)资助的课题.

摘要: 报道了在Si基上用简便的真空反应法制备出GaN外延层.光致发光光谱测试结果表明不同的生长温度和退火工艺会对GaN外延层的发光特性产生影响,在1050℃下生长的GaN外延层的发光强度高于其他温度下生长的发光强度,退火可以使GaN外延层的发光强度增强.二次离子质谱(SIMS)测试结果表明外延层中Ga和N分布均匀,在表面处Ga发生了偏聚,同时外延层中还存在Si,O等杂质,这使得外延层中背景电子浓度高达1.7×1018/cm3. SIMS测试结果还表明,在外延生长前采用

English Abstract

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