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沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响

程珊华 宁兆元 康 健 马春兰 叶 超

沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响

程珊华, 宁兆元, 康 健, 马春兰, 叶 超
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-02-24
  • 修回日期:  2000-03-30
  • 刊出日期:  2000-10-20

沉积温度对含氢非晶碳膜电学性质的影响

  • 1. 苏州大学物理系,苏州 215006
    基金项目: 

    江苏省自然科学基金(批准号:LL7723)和江苏省教委自然科学基金资助的课题.

摘要: 用苯作为源气体,使用微波电子回旋共振(ECR)等离子体气相沉积法在不同温度下制备了含 氢非晶碳薄膜,研究了沉积温度对薄膜的直流电阻率、击穿场强的影响,发现它们与沉积速 率密切相关.测量了薄膜的含氢量与Raman谱,利用Angus等人提出的随机共价网络模型对结果 作了分析.

English Abstract

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