搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

程知群 孙晓玮 夏冠群 李洪芹 盛怀茂 钱蓉

AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

程知群, 孙晓玮, 夏冠群, 李洪芹, 盛怀茂, 钱蓉
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  2321
  • PDF下载量:  482
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  1999-06-13
  • 修回日期:  1999-08-02
  • 刊出日期:  2000-02-20

AlGaInP/GaAs HBT制备中质子注入隔离

  • 1. 中国科学院上海冶金研究所,上海200050
    基金项目: 

    国家“九五”攻关!(批准号 :97 773 0 3 0 1)资助的课题

摘要: 对HBT工艺中质子隔离注入及其掩膜方法进行了研究.通过计算确定了最佳注入剂量.在一定的温度下退火,可增强隔离效果,最佳退火温度依赖于离子注入剂量,当温度增高时,电阻率又开始下降,并趋向恢复到退火前的状态.采用Si3N4加光刻胶双层掩膜,工艺简单,重复性好,样品无沾污现象,隔离效果佳,制备的器件直流特性较好.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回