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CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

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出版历程
  • 收稿日期:  2000-10-15
  • 修回日期:  2000-12-11
  • 刊出日期:  2001-06-20

CdSe/CdMnSe多量子阱的激子光学性质的研究

  • 1. 北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京100044
    基金项目: 

    国家自然科学基金

    高等学校骨干教师资助计划基金资助的课题.

摘要: 用分子束外延在GaAs衬底上生长了CdSe/CdMnSe多量子阱结构.利用X射线衍射(XRD)、变密度激发的PL光谱、变温度PL光谱和变密度激发的ps时间分辨光谱研究了CdSe/CdMnSe多量子阱结构和激子复合特性.讨论了随温度升高辐射线宽展宽和辐射复合效率降低的机理.发现不同激发密度下发光衰减时间不同,认为它的机理可能是无辐射复合引起的.在该材料中观测到激子激子散射发射峰,它被变密度激发和变温度PL光谱所证实.

English Abstract

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