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哈斯勒合金Ni-Mn-Ga的马氏体相变和磁增强双向形状记忆效应

高书侠 柳祝红 胡凤霞 王文洪 陈京兰 吴光恒 敖玲

哈斯勒合金Ni-Mn-Ga的马氏体相变和磁增强双向形状记忆效应

高书侠, 柳祝红, 胡凤霞, 王文洪, 陈京兰, 吴光恒, 敖玲
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-07-05
  • 修回日期:  2000-08-17
  • 刊出日期:  2001-02-20

哈斯勒合金Ni-Mn-Ga的马氏体相变和磁增强双向形状记忆效应

  • 1. (1)河北师范大学物理系,石家庄050091; (2)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京100080; (3)中央民族大学物理系,北京100081

摘要: 通过研究铁磁性金属间化合物Ni2+xMn1-xGa(x=-0.1,0,0.08,0.13,0.18,0.2)和Ni2-xMn1+x/2Ga1+x/2(x=-0.1,0,0.04,0.06,0.1)两个系列多晶样品的交流磁化率随温度的变化行为,得到了化合物在不同组分下的马氏体相变温度TM和居里温度TC.发现随着Ni成分的增加,前者的马氏体相变温度Tm增加,而居里温度TC降低,后者的马氏体相变温度Tm和居里温度TC均是先增大后减小.报道了Tm在室温附近的单晶样品Ni52Mn24Ga24的磁场增强双向形状记忆效应.发现伴随着马氏体相变,样品在[001]方向可产生1.2%的收缩.如果在该方向施加1.2T的偏磁场可以使该应变值增大到4.0%.而垂直于[001]方向施加1.2T的偏磁场时,在[001]方向产生1.6%的膨胀.阐明了产生大应变的原因并非相界移动,而是单晶的杂散内应力小和外加磁场通过孪晶界移动使马氏体变体重组的共同结果.

English Abstract

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