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掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

刘湘娜 何宇亮 鲍希茂 眭云霞 徐刚毅

掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

刘湘娜, 何宇亮, 鲍希茂, 眭云霞, 徐刚毅
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出版历程
  • 收稿日期:  2000-07-30
  • 修回日期:  2000-09-14
  • 刊出日期:  2001-03-20

掺杂纳米硅薄膜中电子自旋共振研究

  • 1. (1)南京大学物理系,固体微结构物理国家重点实验室,南京210093; (2)南京大学现代分析中心,南京210093; (3)中国科学院上海冶金研究所信息功能材料国家重点实验室,上海200050
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:59832100和E020901)资助的课题.

摘要: 研究了掺杂纳米硅薄膜(nc∶Si∶H)中的电子自旋共振(ESR)及与之相关的缺陷态.样品是用等离子体增强化学气相沉积方法制成,为两相结构,即纳米晶粒镶嵌于非晶本体之中.对掺磷的nc-Si∶H样品,测量出其ESR信号的g值为1.9990—1.9991,线宽ΔHpp为(40—42)×10-4T,ESR密度Nss为1017cm-3数量级.对掺硼的nc-Si∶H样品,其ESR信号的g值为2.0076—2.0078,ΔH

English Abstract

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