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4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

杨林安 张义门 龚仁喜 张玉明

4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

杨林安, 张义门, 龚仁喜, 张玉明
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-06-01
  • 修回日期:  2001-07-10
  • 刊出日期:  2005-04-11

4H-SiC射频功率MESFET的自热效应分析

  • 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安710071;
    基金项目: 

    国防预研基金 (批准号 :8 1 7 3)资助的课题

摘要: 采用载流子速度饱和理论,建立了包含“自热效应”影响的适用于4HSiCMESFET的大信号输出IV特性解析模型,在模型中引入了温度变化的因素,提出了非恒定衬底环境温度T0的热传导模型,模拟结果与实验值一致,证明基于这种模型的理论分析符合器件测试及应用的实际情况

English Abstract

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