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离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

物理学报, 2002, 51(10): 2340-2343.
DOI: 10.7498/aps.51.2340
CSTR: 32037.14.aps.51.2340

Acta Phys. Sin., 2002, 51(10): 2340-2343.
DOI: 10.7498/aps.51.2340
CSTR: 32037.14.aps.51.2340
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  • 摘要

    用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长了200nm的SiGe薄膜,然后将C离子注入SiGe层,经两步热退火处理制备了Si1-x-yGexCy三元合金半导体薄膜.应用卢瑟福背散射(RBS),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和高分辨率x射线衍射(HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性.发现C原子基本处于替代位置,C原子的掺入缓解了SiGe层的压应变

     

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