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离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

刘雪芹 王印月 甄聪棉 张静 杨映虎 郭永平

离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

刘雪芹, 王印月, 甄聪棉, 张静, 杨映虎, 郭永平
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-12-25
  • 修回日期:  2002-03-06
  • 刊出日期:  2005-06-01

离子注入和固相外延制备Si1-x-yGexCy半导体薄膜

  • 1. 兰州大学物理系,兰州730000
    基金项目: 

    国家自然科学基金 (批准号 :698760 17)资助课题

摘要: 用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)生长了200nm的SiGe薄膜,然后将C离子注入SiGe层,经两步热退火处理制备了Si1-x-yGexCy三元合金半导体薄膜.应用卢瑟福背散射(RBS),傅里叶变换红外光谱(FTIR)和高分辨率x射线衍射(HRXRD)研究了薄膜的结构和外延特性.发现C原子基本处于替代位置,C原子的掺入缓解了SiGe层的压应变

English Abstract

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