搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

制备温度对MgB-2薄膜超导电性的影响

王淑芳 朱亚彬 张芹 周岳亮 陈正豪 吕惠宾 杨国桢

制备温度对MgB-2薄膜超导电性的影响

王淑芳, 朱亚彬, 张芹, 周岳亮, 陈正豪, 吕惠宾, 杨国桢
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3121
  • PDF下载量:  652
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 刊出日期:  2002-12-20

制备温度对MgB-2薄膜超导电性的影响

  • 1. 中国科学院物理研究所光物理开放实验室,北京100080
    基金项目: 

    国家重点基础研究专项基金 (批准号 :19990 64 60 4)资助的课题

摘要: 报道了用两步法制备MgB2超导薄膜.首先利用脉冲激光沉积技术制备B膜,然后在Mg蒸气环境下对B膜进行后退火处理,通过扩散反应生成MgB2超导薄膜.采用扫描电子显微镜、x射线衍射、电阻测量和磁测量技术分析了前驱物B膜的制备温度对扩散产物MgB2薄膜的表面形貌、晶体结构、超导转变温度和临界电流密度的影响.结果表明,随着B膜制备温度的降低,MgB2薄膜中晶粒粒度减小、c取向的衍射线宽化、超导转变温度升高、临界电流密度增大.300℃时制备的MgB2超导薄膜的超导起始转变温度为395K,临界电流密度为13×107A

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回