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超高斯光束截割对多级电离产额的影响

蒋志平 魏计林 张立敏 俞书勤

超高斯光束截割对多级电离产额的影响

蒋志平, 魏计林, 张立敏, 俞书勤
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出版历程
  • 收稿日期:  2001-04-12
  • 修回日期:  2001-07-12
  • 刊出日期:  2005-04-11

超高斯光束截割对多级电离产额的影响

  • 1. (1)国防科技大学光学系,长沙410073; (2)太原重型机械学院应用科学系,太原030024; (3)中国科学院选键化学开放实验室,中国科学技术大学化学物理系,合肥230026

摘要: 针对光强为超高斯分布的激光束被圆孔截割的情况计算了聚焦区的光强度分布,给出了依赖于激光强度的理论电离体积,并由此研究多光子电离过程中多级电离的电离产额对激光强度的相关性.作为例子,计算了焦点处1013—1016Wcm-2强度范围内Xe的多级电离产额.结果表明:随着超高斯光束截割的增加,电离产额在饱和区呈现出明显的起伏和抑制效应.当超高斯光束的阶数n增加到一定程度(如n>2)或对大的截割条件(ρa=1),电离产额曲线的形状对n的依赖性将变得“迟钝”.计算给出的电离产额曲线上的这种起伏和抑制有可能用于解释已经

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