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(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

亓 鹏 王矜奉 陈洪存 苏文斌 王文新 臧国忠 王春明

(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

亓 鹏, 王矜奉, 陈洪存, 苏文斌, 王文新, 臧国忠, 王春明
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-30
  • 修回日期:  2002-11-08
  • 刊出日期:  2003-07-20

(Sr,Co,Nb)掺杂SnO2压敏电阻的电学非线性

  • 1. 山东大学物理与微电子学院晶体材料国家重点实验室,济南 250100
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:50072013)资助的课题.

摘要: 研究了Sr对新型(Co, Nb)掺杂SnO2压敏材料微观结构和电学性质的影响.当SrCO 3的含量从零增加到1.50mol%时,(Co, Nb)掺杂SnO2压敏电阻的击穿电压从240V/mm猛增 到1482V/mm.样品的微观结构分析发现, 当SrCO3的含量从零增加到1.50 mol%时, SnO2的晶粒尺寸迅速减小.晶界势垒高度测量揭示,SnO2晶粒尺寸的迅速减小是击穿

English Abstract

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