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高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响

李俊杰 郑伟涛 卞海蛟 吕宪义 姜志刚 白亦真 金曾孙 赵永年

高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响

李俊杰, 郑伟涛, 卞海蛟, 吕宪义, 姜志刚, 白亦真, 金曾孙, 赵永年
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  • 采用射频磁控溅射方法在纯N2气氛中沉积了非晶CNx薄膜样品,并 在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CNx薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变 化进行研究.用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化,其中sp2键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关.退火实验的结果表明 高温退火可以导致CNx薄膜中N含量大量损失,并在薄膜中形成大量sp2<
    • 基金项目: 国家教育部高等学校青年教师奖(批准号:2002-359)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20020183034)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2002-09-15
  • 修回日期:  2002-11-26
  • 刊出日期:  2003-07-20

高温退火对非晶CNx薄膜场发射特性的影响

  • 1. (1)吉林大学材料科学与工程学院,长春 130023; (2)吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春 130023; (3)吉林大学超硬材料国家重点实验室,长春 130023;延边大学理工学院,延吉 133002
    基金项目: 

    国家教育部高等学校青年教师奖(批准号:2002-359)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20020183034)资助的课题.

摘要: 采用射频磁控溅射方法在纯N2气氛中沉积了非晶CNx薄膜样品,并 在真空中退火至900 ℃.对高温退火引起的CNx薄膜化学成分、键合结构及其场发射特性方面的变 化进行研究.用傅里叶变换红外光谱和x射线光电子能谱分析样品的内部成分及键合结构的变化,其中sp2键及薄膜中N的含量与薄膜的场发射特性密切相关.退火实验的结果表明 高温退火可以导致CNx薄膜中N含量大量损失,并在薄膜中形成大量sp2<

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