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非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究

胡振华 黄德修

非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究

胡振华, 黄德修
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  • 基于V型三能级模型研究了非对称耦合量子阱(ACQW)线性吸收与色散特性. 理论结果表明:在小偏置区,由沿生长方向的外加电场引起的强量子限域Stark频移导致非共振吸收,线性折射率大幅度降低,表现为色散猝灭特性. 而随负偏压进一步增加, 由于量子限域Stark效应消失,其吸收与色散特性则与单量子阱最低激子态相类似. 这意味着ACQW具有随外加电场变化的可控色散特性.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展规划(批准号: G200036605) 资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2003-11-03
  • 修回日期:  2004-11-02
  • 刊出日期:  2005-02-05

非对称耦合量子阱吸收与色散的理论研究

  • 1. (1)华中科技大学光电子工程系,武汉 430074; (2)华中科技大学光电子工程系,武汉 430074;武汉理工大学物理系,武汉 430063
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(批准号: G200036605) 资助的课题.

摘要: 基于V型三能级模型研究了非对称耦合量子阱(ACQW)线性吸收与色散特性. 理论结果表明:在小偏置区,由沿生长方向的外加电场引起的强量子限域Stark频移导致非共振吸收,线性折射率大幅度降低,表现为色散猝灭特性. 而随负偏压进一步增加, 由于量子限域Stark效应消失,其吸收与色散特性则与单量子阱最低激子态相类似. 这意味着ACQW具有随外加电场变化的可控色散特性.

English Abstract

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