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Bi80+辐射复合过程的计算

曾思良 逄锦桥 李 萍 李月明 颜 君 王建国

Bi80+辐射复合过程的计算

曾思良, 逄锦桥, 李 萍, 李月明, 颜 君, 王建国
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  • 基于Dirac-Slater自洽场方法,计算了Bi79+离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi80+的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性;考察了多极效应 、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响;计算了Bi80+离子在电离阈值附近 的辐射 复合截面和辐射复合速率系数,考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影 响,并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10344001和10174009)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-07-29
  • 修回日期:  2004-11-13
  • 刊出日期:  2005-03-05

Bi80+辐射复合过程的计算

  • 1. 北京应用物理与计算数学研究所计算物理重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10344001和10174009)资助的课题.

摘要: 基于Dirac-Slater自洽场方法,计算了Bi79+离子从低能到高能的光电离截面以及其逆过程Bi80+的辐射复合截面; 分析了Kramers公式的适用性;考察了多极效应 、相对论效应在不同能区对辐射复合截面的影响;计算了Bi80+离子在电离阈值附近 的辐射 复合截面和辐射复合速率系数,考察了自由电子分布函数及电子的温度变化对速率系数的影 响,并将计算结果同高精度的储存环合并束实验进行了对比.

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