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分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

徐晓华 牛智川 倪海桥 徐应强 张 纬 贺正宏 韩 勤 吴荣汉 江德生

分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

徐晓华, 牛智川, 倪海桥, 徐应强, 张 纬, 贺正宏, 韩 勤, 吴荣汉, 江德生
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出版历程
  • 收稿日期:  2004-05-14
  • 修回日期:  2004-11-18
  • 刊出日期:  2005-03-05

分子束外延生长的(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

  • 1. 中国科学院半导体研究所 超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:90201026, 60137020)、863计划资助和中国博士后科学基金 支持的课题.

摘要: 报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构 为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件,获得了室温1 31μm发光.

English Abstract

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