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金刚石膜探测器研制

欧阳晓平 王 兰 范如玉 张忠兵 王 伟 吕反修 唐伟忠 陈广超

金刚石膜探测器研制

欧阳晓平, 王 兰, 范如玉, 张忠兵, 王 伟, 吕反修, 唐伟忠, 陈广超
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  • 采用直流电弧等离子喷射(DC arc plasma jet)CVD(chemical vapour deposition)工艺制成的金刚石薄膜,研制成功MSM(metal-semiconductor-metal)型CVD金刚石脉冲辐射探测器.对制作的金刚石薄膜材料及探测器有关性能进行了测量,结果表明,采用Raman shift-1的金刚石薄膜制成的探测器,可满足亚纳秒脉冲辐射探测的要求.由于其独特的物理性能,在制作成本合理的情况下,在脉冲辐射测量中可取代Si-PIN探测器.
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-06-14
  • 修回日期:  2005-08-08
  • 刊出日期:  2006-05-20

金刚石膜探测器研制

  • 1. (1)北京科技大学功能材料研究所 100092; (2)清华大学工程物理系,北京 100084; (3)西北核技术研究所,西安 710024

摘要: 采用直流电弧等离子喷射(DC arc plasma jet)CVD(chemical vapour deposition)工艺制成的金刚石薄膜,研制成功MSM(metal-semiconductor-metal)型CVD金刚石脉冲辐射探测器.对制作的金刚石薄膜材料及探测器有关性能进行了测量,结果表明,采用Raman shift-1的金刚石薄膜制成的探测器,可满足亚纳秒脉冲辐射探测的要求.由于其独特的物理性能,在制作成本合理的情况下,在脉冲辐射测量中可取代Si-PIN探测器.

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