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掺Mn对NiFeGa磁性形状记忆材料单晶特性的影响

刘何燕 曲静萍 李养贤 于淑云 柳祝红 陈京兰 代学芳 吴光恒

掺Mn对NiFeGa磁性形状记忆材料单晶特性的影响

刘何燕, 曲静萍, 李养贤, 于淑云, 柳祝红, 陈京兰, 代学芳, 吴光恒
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出版历程
  • 收稿日期:  2005-09-18
  • 修回日期:  2005-11-26
  • 刊出日期:  2006-06-20

掺Mn对NiFeGa磁性形状记忆材料单晶特性的影响

  • 1. (1)河北工业大学材料学院,天津 300130; (2)河北工业大学材料学院,天津 300130;中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京 100080; (3)中国科学院物理研究所磁学国家重点实验室,北京 100080
    基金项目: 

    河北省自然科学基金(批准号:503031)和国家自然科学基金(批准号:50471056)资助的课题.

摘要: 在单晶Ni54Fe19Ga27中掺入少量Mn,对增强磁交换相互作用,提高居里温度和稳定了B2相并增强晶格的刚度,起到了非常明显的作用.Mn的存在使样品中取向内应力得以保持,提高了变体择优取向的水平,大大提高了单晶的相变应变和磁场增强作用.发现内应力对超弹性性质的影响也很明显.

English Abstract

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