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利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐THz辐射的理论研究

孙 博 姚建铨 王 卓 王 鹏

利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐THz辐射的理论研究

孙 博, 姚建铨, 王 卓, 王 鹏
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  • 理论研究了利用剩余射线带色散补偿相位匹配原理,在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族光学各向同性的半导体非线性晶体中差频产生可调谐THz波的可行性问题.根据这些半导体材料的色散特性,并以近简并点双共振KTP-OPO的可调谐相干双波长输出作为差频抽运源,对它们的相位匹配能力、差频增益特性、品质因数以及差频过程中的相干长度进行了理论分析和计算,确定了ZnTe晶体是在共线相位匹配情况下较为理想的THz波差频晶体,而InP晶体则更适合用于非共线相位匹配情况.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:10474071)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040056010)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2006-09-13
  • 修回日期:  2006-09-30
  • 刊出日期:  2007-07-11

利用各向同性半导体晶体差频产生可调谐THz辐射的理论研究

  • 1. 天津大学精仪学院激光与光电子研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300072
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:10474071)和高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20040056010)资助的课题.

摘要: 理论研究了利用剩余射线带色散补偿相位匹配原理,在Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅳ族光学各向同性的半导体非线性晶体中差频产生可调谐THz波的可行性问题.根据这些半导体材料的色散特性,并以近简并点双共振KTP-OPO的可调谐相干双波长输出作为差频抽运源,对它们的相位匹配能力、差频增益特性、品质因数以及差频过程中的相干长度进行了理论分析和计算,确定了ZnTe晶体是在共线相位匹配情况下较为理想的THz波差频晶体,而InP晶体则更适合用于非共线相位匹配情况.

English Abstract

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