搜索

文章查询

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

单分子器件与电极间耦合界面对电子传输的影响

王利光 陈 蕾 郁鼎文 李 勇 Terence K. S. W.

单分子器件与电极间耦合界面对电子传输的影响

王利光, 陈 蕾, 郁鼎文, 李 勇, Terence K. S. W.
PDF
导出引用
导出核心图
计量
  • 文章访问数:  3431
  • PDF下载量:  768
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2005-10-26
  • 修回日期:  2007-03-22
  • 刊出日期:  2007-11-20

单分子器件与电极间耦合界面对电子传输的影响

  • 1. (1)江南大学理学院,无锡 214122; (2)新加坡南洋理工大学电气与电子工程学院,新加坡 639798
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展规划(973计划)项目(批准号:2006CB716204), 教育部国际合作研究项目(批准号:20060360563)和江苏省先进光电材料重点实验室研究项目(批准号:BM2003202)资助的课题.

摘要: 利用自恰tight-binding 理论,对由phenalenyl分子构成的全对称三电极纳米单分子器件的电子传导特性进行了理论研究. 通过改变电极与分子界面上的耦合,得出了分子与原子线电极间耦合强度变化对电子传输的影响. 结果显示电子通过phenalenyl分子器件的概率随着分子与电极的耦合强度变弱而减小. 当耦合强度变大时,不仅电子通过phenalenyl分子器件的概率变大,而且在较宽的能带内电子都可以通过phenalenyl分子. 所得结果还揭示出在特定的能区,对称三电极phenalenyl分子可以构成一个无源正负能量开关器件的新特性.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回