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微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响

袁育杰 侯国付 薛俊明 韩晓艳 刘云周 杨兴云 刘丽杰 董 培 赵 颖 耿新华

微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响

袁育杰, 侯国付, 薛俊明, 韩晓艳, 刘云周, 杨兴云, 刘丽杰, 董 培, 赵 颖, 耿新华
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  • 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.
    • 基金项目: 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB202602,2006CB202603 )资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-07-04
  • 修回日期:  2007-10-09
  • 刊出日期:  2008-03-05

微晶硅n-i-p太阳电池中n型掺杂层对本征层结构特性的影响

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电信息技术科学教育部重点实验室,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津 300071
    基金项目: 

    国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2006CB202602,2006CB202603 )资助的课题.

摘要: 采用高压射频等离子体增强化学气相沉积方法在非晶和微晶两种n型硅薄膜衬底上沉积了一系列不同厚度的本征微晶硅薄膜,研究了不同n型硅薄膜对本征微晶硅薄膜的表面形貌、晶化率和结晶取向等结构特性的影响.结果表明,本征微晶硅薄膜结构对n型掺杂层具有强烈的依赖作用,微晶n型掺杂层能够有效减少n/i界面非晶孵化层的厚度,改善本征微晶硅薄膜的纵向均匀性,进而提高微晶硅n-i-p太阳电池性能.

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