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电化学制备薄黑硅抗反射膜

刘光友 谭兴文 姚金才 王 振 熊祖洪

电化学制备薄黑硅抗反射膜

刘光友, 谭兴文, 姚金才, 王 振, 熊祖洪
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  • 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品. 这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm. 利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.
    • 基金项目: 教育部科学技术研究重点项目(批准号:105145),教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0772),西南大学科技基金(批准号:SWNUB2005030)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2007-03-15
  • 修回日期:  2007-05-19
  • 刊出日期:  2008-01-15

电化学制备薄黑硅抗反射膜

  • 1. 西南大学物理科学与技术学院,重庆 400715
    基金项目: 

    教育部科学技术研究重点项目(批准号:105145),教育部新世纪优秀人才支持计划(批准号:NCET-05-0772),西南大学科技基金(批准号:SWNUB2005030)资助的课题.

摘要: 采用计算机控制电流密度按指数规律衰减对单晶硅进行电化学腐蚀,得到了折射率随薄膜厚度连续均匀变化的抗反射膜,即黑硅样品. 这种在制取上快速、经济和工艺非常简单的样品,不仅在较宽波段范围内反射率小于5%,且整个薄膜厚度不足1μm. 利用传输矩阵方法对黑硅样品的反射谱进行模拟,得到了理论与实验符合较好的结果.

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