搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

张林 韩超 马永吉 张义门 张玉明

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

张林, 韩超, 马永吉, 张义门, 张玉明
PDF
导出引用
  • 对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30?V偏压.经过1?Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:60606022)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200702)资助的课题.
  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  4333
  • PDF下载量:  1433
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2008-08-01
  • 修回日期:  2008-09-01
  • 刊出日期:  2009-02-05

Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管的γ射线辐照效应

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院,教育部宽禁带半导体材料重点实验室,西安 710071
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:60606022)和西安应用材料创新基金(批准号:XA-AM-200702)资助的课题.

摘要: 对制备的Ni/4H-SiC肖特基势垒二极管(SBD)进行了γ射线辐照试验,并在辐照过程中对器件分别加0和-30?V偏压.经过1?Mrad(Si)总剂量的γ射线辐照后,不同辐照偏压下的Ni/4H-SiC肖特基接触的势垒高度和理想因子没有退化,SiC外延层中的少子寿命也没有退化.辐照后器件的反向电流下降,这是由于器件表面的负界面电荷增加引起的.研究表明,辐照偏压对Ni/4H-SiC SBD的辐照退化效应没有明显的影响.

English Abstract

目录

    /

    返回文章
    返回