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X射线吸收谱对Ga0.946Mn0.054As薄膜中缺陷的研究

乔媛媛 肖正国 曹先存 郭浩民 史同飞 王玉琦

X射线吸收谱对Ga0.946Mn0.054As薄膜中缺陷的研究

乔媛媛, 肖正国, 曹先存, 郭浩民, 史同飞, 王玉琦
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  • 采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054
    • 基金项目: 中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目基金(084N541121)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2010-03-04
  • 修回日期:  2010-04-12
  • 刊出日期:  2011-01-15

X射线吸收谱对Ga0.946Mn0.054As薄膜中缺陷的研究

  • 1. 中国科学院固体物理研究所材料物理重点实验室,合肥 230031
    基金项目: 

    中科院知识创新工程青年人才领域前沿项目基金(084N541121)资助的课题.

摘要: 采用低温分子束外延法(LT-MBE)制备出Ga0.946Mn0.054As稀磁半导体(DMS)薄膜.通过X射线吸收谱(XAS)研究影响Ga0.946Mn0.054As薄膜性质的主要缺陷Mn间隙原子(MnI)和As反位原子(AsGa).实验结果表明,在较低生长温度(TS=200℃)下Ga0.946Mn0.054

English Abstract

参考文献 (17)

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