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基于场致发射阴极阵列的太赫兹源的物理机理研究

刘维浩 张雅鑫 胡旻 周俊 刘盛纲

基于场致发射阴极阵列的太赫兹源的物理机理研究

刘维浩, 张雅鑫, 胡旻, 周俊, 刘盛纲
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  • 本文对一种基于场致发射阴极阵列(FEA)的太赫兹辐射源的物理机理进行了理论分析和粒子模拟验证. 采用场匹配法分析了器件的高频场结构, 确定模作为器件的最优工作模式; 利用线性理论分析了器件的注波互作用过程, 揭示了高频场对FEA阴极发射电流的预调制作用以及电子在阴阳极间隙的渡越时间效应是器件起振的物理原因; 分析得出了模起振条件; 粒子模拟结果与理论分析具有较好的一致性.
    • 基金项目: 国家自然科学基金青年科学基金项目(批准号: 61001031)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2011-08-25
  • 修回日期:  2011-09-21

基于场致发射阴极阵列的太赫兹源的物理机理研究

  • 1. 电子科技大学太赫兹科学技术研究中心, 成都 610054
    基金项目: 

    国家自然科学基金青年科学基金项目(批准号: 61001031)资助的课题.

摘要: 本文对一种基于场致发射阴极阵列(FEA)的太赫兹辐射源的物理机理进行了理论分析和粒子模拟验证. 采用场匹配法分析了器件的高频场结构, 确定模作为器件的最优工作模式; 利用线性理论分析了器件的注波互作用过程, 揭示了高频场对FEA阴极发射电流的预调制作用以及电子在阴阳极间隙的渡越时间效应是器件起振的物理原因; 分析得出了模起振条件; 粒子模拟结果与理论分析具有较好的一致性.

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