搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

Mg0.57Zn0.43O合金薄膜生长及性能表征

秦杰明 曹建明 蒋大勇

Mg0.57Zn0.43O合金薄膜生长及性能表征

秦杰明, 曹建明, 蒋大勇
PDF
导出引用
导出核心图
  • 本文利用金属有机气相沉积法(MOCVD)生长单一立方相Mg0.57Zn0.43O (记作立方MZO)合金薄膜, 以及该合金薄膜在后期热处理过程中质量和热稳定性的关系. 通过X射线衍射等测试发现, 后期热处理对于立方MZO合金薄膜质量具有较大的影响. 其中在500850℃的条件下, 合金薄膜的结晶质量和表面形貌随温度的增加得到明显的改善, 吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽, 但仍保持单一立方结构. 当温度达到950℃时立方MZO合金薄膜出现混合相. 通过对立方MZO合金薄膜制备的MSM型单元器件进行光响应的测试表明, 在外加15 V的偏压下, 器件的响应峰值在260 nm附近,紫外/可见抑制比大约为4个数量级, 饱和响应度为3.8 mA/W, 暗电流值为5 pA左右.
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号: 61106050, 21201022); 内蒙古自然科学基金(批准号: 2010MS0105)和吉林大学超硬材料国家重点实验室开放项目资助的课题.
    [1]

    Yang W, Hullavarad S S, Nagaraj B, Takeuchi I, Sharma R P, Venkatesan T 2003 Appl. Phys. Lett. 82 3424

    [2]

    Choopun S, Vispute R D, Yang W, Sharma R P, Venkatesan T 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529

    [3]

    Park W I, Yi Y C, Jang H M 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2022

    [4]

    Minemoto T, Negami T, Nishiwaki S, Takakura H, Hamakawa Y 2000 Thin. Solid. Films. 32 173

    [5]

    Chen J, Shen W Z, Chen N B, Qiu D J, Wu H Z 2003 J. Phys. C 15 475

    [6]

    Ohtomo A, Kawasaki M, Koida T, Masubuchi K, Koinuma H 1999 Appl. Phys. Lett. 75 980

    [7]

    Xin P, Sun C W, Qin F W, Wen S P, Zhang Q Y 2007 Acta Phys. Sin. 56 1082 (in Chinese) [辛萍, 孙成伟, 秦福文, 文胜平, 张庆瑜 2007 物理学报 56 1082]

    [8]

    Sharma A K, Narayan J, Muth J F, Teng C W, Jin C, Kvit A, Kolbas R M, Holland O W 1999 Appl. Phys. Lett. 53 327

    [9]

    Lin B X, Fu Z X, Jia Y B, Liao G H 2001 Acta Phys. Sin. 50 2208 (in Chinese) [林碧霞, 傅竹西, 贾云波, 廖桂红 2001 物理学报 50 2208]

    [10]

    Qin J M, Wang H, Zeng F M, Li J L, Wan Y C, Liu J H 2010 Acta Phys. Sin. 59 8910 (in Chinese) [秦杰明, 王皓, 曾繁明, 李建利, 万玉春, 刘景和 2010 物理学报 59 8910]

    [11]

    Choopun S, Vispute R D, Yan W, Sharma R P, Venkatesan T, Shen H 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529

    [12]

    Ju Z G, Shan C X, Yang C L, Zhang J Y, Yao B, Zhao D X, Shen D Z 2009 Appl. Phys. Lett. 94 101902

    [13]

    Bendersky L A, Takeuchi I, Chang K S, Yang W, Hullavarad S, Vispute R D 2005 J. Appl. Phys. 98 083526

  • [1]

    Yang W, Hullavarad S S, Nagaraj B, Takeuchi I, Sharma R P, Venkatesan T 2003 Appl. Phys. Lett. 82 3424

    [2]

    Choopun S, Vispute R D, Yang W, Sharma R P, Venkatesan T 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529

    [3]

    Park W I, Yi Y C, Jang H M 2001 Appl. Phys. Lett. 79 2022

    [4]

    Minemoto T, Negami T, Nishiwaki S, Takakura H, Hamakawa Y 2000 Thin. Solid. Films. 32 173

    [5]

    Chen J, Shen W Z, Chen N B, Qiu D J, Wu H Z 2003 J. Phys. C 15 475

    [6]

    Ohtomo A, Kawasaki M, Koida T, Masubuchi K, Koinuma H 1999 Appl. Phys. Lett. 75 980

    [7]

    Xin P, Sun C W, Qin F W, Wen S P, Zhang Q Y 2007 Acta Phys. Sin. 56 1082 (in Chinese) [辛萍, 孙成伟, 秦福文, 文胜平, 张庆瑜 2007 物理学报 56 1082]

    [8]

    Sharma A K, Narayan J, Muth J F, Teng C W, Jin C, Kvit A, Kolbas R M, Holland O W 1999 Appl. Phys. Lett. 53 327

    [9]

    Lin B X, Fu Z X, Jia Y B, Liao G H 2001 Acta Phys. Sin. 50 2208 (in Chinese) [林碧霞, 傅竹西, 贾云波, 廖桂红 2001 物理学报 50 2208]

    [10]

    Qin J M, Wang H, Zeng F M, Li J L, Wan Y C, Liu J H 2010 Acta Phys. Sin. 59 8910 (in Chinese) [秦杰明, 王皓, 曾繁明, 李建利, 万玉春, 刘景和 2010 物理学报 59 8910]

    [11]

    Choopun S, Vispute R D, Yan W, Sharma R P, Venkatesan T, Shen H 2002 Appl. Phys. Lett. 80 1529

    [12]

    Ju Z G, Shan C X, Yang C L, Zhang J Y, Yao B, Zhao D X, Shen D Z 2009 Appl. Phys. Lett. 94 101902

    [13]

    Bendersky L A, Takeuchi I, Chang K S, Yang W, Hullavarad S, Vispute R D 2005 J. Appl. Phys. 98 083526

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1328
  • PDF下载量:  607
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2013-01-17
  • 修回日期:  2013-03-09
  • 刊出日期:  2013-07-05

Mg0.57Zn0.43O合金薄膜生长及性能表征

  • 1. 长春理工大学材料科学与工程学院, 长春 130022;
  • 2. 内蒙古民族大学物理学院, 通辽 028000
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号: 61106050, 21201022)

    内蒙古自然科学基金(批准号: 2010MS0105)和吉林大学超硬材料国家重点实验室开放项目资助的课题.

摘要: 本文利用金属有机气相沉积法(MOCVD)生长单一立方相Mg0.57Zn0.43O (记作立方MZO)合金薄膜, 以及该合金薄膜在后期热处理过程中质量和热稳定性的关系. 通过X射线衍射等测试发现, 后期热处理对于立方MZO合金薄膜质量具有较大的影响. 其中在500850℃的条件下, 合金薄膜的结晶质量和表面形貌随温度的增加得到明显的改善, 吸收截止边逐渐蓝移,带隙展宽, 但仍保持单一立方结构. 当温度达到950℃时立方MZO合金薄膜出现混合相. 通过对立方MZO合金薄膜制备的MSM型单元器件进行光响应的测试表明, 在外加15 V的偏压下, 器件的响应峰值在260 nm附近,紫外/可见抑制比大约为4个数量级, 饱和响应度为3.8 mA/W, 暗电流值为5 pA左右.

English Abstract

参考文献 (13)

目录

    /

    返回文章
    返回