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偏滤器等离子体中杂质对钨壁材料的侵蚀模拟研究

孙振月 桑超峰 胡万鹏 王德真

偏滤器等离子体中杂质对钨壁材料的侵蚀模拟研究

孙振月, 桑超峰, 胡万鹏, 王德真
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  • 偏滤器是托卡马克中与等离子体直接接触的部件,为了保证装置的寿命,需要尽可能地减小等离子体对偏滤器靶板的侵蚀. 本文用粒子模拟的方法研究了不同等离子体温度情况下碳和铍两种杂质离子对钨偏滤器侵蚀速率的影响. 模拟首先得到稳定的鞘层结构、入射到靶板的离子流和能流密度,并通过统计获得了入射离子的能量和角度分布,最终根据这些物理参量,采用经验公式计算出钨靶板的侵蚀速率. 研究表明,在等离子体温度不太高的情况下,钨靶板的热侵蚀几乎不起作用,而由于杂质离子对钨的物理溅射阈值较低,并且会通过鞘层加速获得能量,因此其对钨壁材料的物理溅射是导致靶板侵蚀的主要原因,另外靶板材料的侵蚀速率随着等离子体温度升高以及杂质含量增大而急剧增大.
    • 基金项目: 国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项课题(批准号:2013GB109001)和国家自然科学基金(批准号:11275042,11305026)资助的课题.
    [1]

    Pitcher C S, Stangeby P C 1997 Plasma Phys. Control. Fusion 39 779

    [2]

    Federici G, Skinner C H, Brooks J N, Coad J P, Grisolia C, Haasz A A, Hassanein A, Philipps V, Pitcher C S, Roth J, Wampler W R, Whyte D G 2001 Nucl. Fusion 41 1967

    [3]

    Pitts R A, Carpentier S, Escourbiac F, Hirai T, Komarov V, Lisgo S, Kukushkin A S, Loarte A, Merola M, Naik A S, Mitteau R, Sugihara M, Bazylev B, Stangeby P C 2013 J. Nucl. Mater. 438 S48

    [4]

    Huang Y, Sun J Z, Sang C F, Ding F, Wang D Z 2014 Acta Phys. Sin 63 035204 (in Chinese)[黄艳, 孙继忠, 桑超峰, 丁芳, 王德真 2014 物理学报 63 035204]

    [5]

    Bolt H, Barabash V, Federici G, Linke J, Loarte A, Roth J, Sato K 2002 J. Nucl. Mater. 307–311 43

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    Philipps V 2011 J. Nucl. Mater. 415 S2

    [7]

    Federici G, Loarte A, Strohmayer G 2003 Plasma Phys. Control. Fusion 45 1523

    [8]

    Du H L, Sang C F, Wang L, Sun J Z, Liu S C, Wang H Q, Zhang L, Guo H Y, Wang D Z 2013 Acta Phys. Sin. 62 245206 (in Chinese)[杜海龙, 桑超峰, 王亮, 孙继忠, 刘少承, 汪惠乾, 张凌, 郭后扬, 王德真 2013 物理学报 62 245206]

    [9]

    Chen Y P, Wang F Q, Zha X J, Hu L Q, Guo H Y, Wu Z W, Zhang X D, Wan B N, Li J G 2013 Phys. Plasmas 20 22311

    [10]

    Schneider R, Runov A 2007 Plasma Phys. Control. Fusion 49 S87

    [11]

    Birdsall C K, Langdon A B 2005 Plasma Physics Via Computer Simulaition (Taylor and Francis: CRC Press) pp23-48

    [12]

    Sheehan J P, Hershkowitz N, Kaganovich I D, Wang H, Raitses Y, Barnat E V, Weatherford B R, Sydorenko D 2013 Phys. Rev. Lett. 111 S909

    [13]

    Kawamura G, Tomita Y, Kirschner A 2013 J. Nucl. Mater. 438 S909

    [14]

    Tskhakaya D 2012 Contrib. Plasma Phys. 52 490

    [15]

    Sang C F, Sun J Z, Wang D Z 2010 Plasma Phys. Control. Fusion 52 042001

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    Sang C F, Sun J Z, Wang D Z 2010 Fusion Eng. Des. 85 1941

    [17]

    Verboncoeur J P 2005 Plasma Phys. Control. Fusion 47 A231

    [18]

    Stangeby P C 2000 The Plasma Boundary of Magnetic Fusion Devices (Bristol and Philadelphia: Institute of Physics Publishing) pp92-105

    [19]

    Warrier M, Schneider R, Bonnin X 2004 Comput. Phys. Commun. 160 46

    [20]

    Sang C F, Bonnin X, Warrier M, Rai A, Schneider R, Sun J Z, Wang D Z 2012 Nucl. Fusion 52 043003

    [21]

    Gao J M, Liu Y, Li W, Cui Z Y, Zhou Y, Huang Y, Ji X Q 2010 Chin. Phys. B 19 115201

    [22]

    Liu Y L, Lu W, Gao A Y, Gui L J, Zhang Y 2012 Chin. Phys. B 21 126103

  • [1]

    Pitcher C S, Stangeby P C 1997 Plasma Phys. Control. Fusion 39 779

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    Federici G, Skinner C H, Brooks J N, Coad J P, Grisolia C, Haasz A A, Hassanein A, Philipps V, Pitcher C S, Roth J, Wampler W R, Whyte D G 2001 Nucl. Fusion 41 1967

    [3]

    Pitts R A, Carpentier S, Escourbiac F, Hirai T, Komarov V, Lisgo S, Kukushkin A S, Loarte A, Merola M, Naik A S, Mitteau R, Sugihara M, Bazylev B, Stangeby P C 2013 J. Nucl. Mater. 438 S48

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    Huang Y, Sun J Z, Sang C F, Ding F, Wang D Z 2014 Acta Phys. Sin 63 035204 (in Chinese)[黄艳, 孙继忠, 桑超峰, 丁芳, 王德真 2014 物理学报 63 035204]

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    [6]

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    Du H L, Sang C F, Wang L, Sun J Z, Liu S C, Wang H Q, Zhang L, Guo H Y, Wang D Z 2013 Acta Phys. Sin. 62 245206 (in Chinese)[杜海龙, 桑超峰, 王亮, 孙继忠, 刘少承, 汪惠乾, 张凌, 郭后扬, 王德真 2013 物理学报 62 245206]

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    Schneider R, Runov A 2007 Plasma Phys. Control. Fusion 49 S87

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    Birdsall C K, Langdon A B 2005 Plasma Physics Via Computer Simulaition (Taylor and Francis: CRC Press) pp23-48

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    Tskhakaya D 2012 Contrib. Plasma Phys. 52 490

    [15]

    Sang C F, Sun J Z, Wang D Z 2010 Plasma Phys. Control. Fusion 52 042001

    [16]

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    Warrier M, Schneider R, Bonnin X 2004 Comput. Phys. Commun. 160 46

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出版历程
  • 收稿日期:  2014-02-10
  • 修回日期:  2014-03-18
  • 刊出日期:  2014-07-05

偏滤器等离子体中杂质对钨壁材料的侵蚀模拟研究

  • 1. 大连理工大学物理与光电工程学院, 三束材料改性教育部重点实验室, 大连 116023
    基金项目: 

    国际热核聚变实验堆(ITER)计划专项课题(批准号:2013GB109001)和国家自然科学基金(批准号:11275042,11305026)资助的课题.

摘要: 偏滤器是托卡马克中与等离子体直接接触的部件,为了保证装置的寿命,需要尽可能地减小等离子体对偏滤器靶板的侵蚀. 本文用粒子模拟的方法研究了不同等离子体温度情况下碳和铍两种杂质离子对钨偏滤器侵蚀速率的影响. 模拟首先得到稳定的鞘层结构、入射到靶板的离子流和能流密度,并通过统计获得了入射离子的能量和角度分布,最终根据这些物理参量,采用经验公式计算出钨靶板的侵蚀速率. 研究表明,在等离子体温度不太高的情况下,钨靶板的热侵蚀几乎不起作用,而由于杂质离子对钨的物理溅射阈值较低,并且会通过鞘层加速获得能量,因此其对钨壁材料的物理溅射是导致靶板侵蚀的主要原因,另外靶板材料的侵蚀速率随着等离子体温度升高以及杂质含量增大而急剧增大.

English Abstract

参考文献 (22)

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