搜索

x

留言板

尊敬的读者、作者、审稿人, 关于本刊的投稿、审稿、编辑和出版的任何问题, 您可以本页添加留言。我们将尽快给您答复。谢谢您的支持!

姓名
邮箱
手机号码
标题
留言内容
验证码

垂直多结光伏型集成硅X射线探测器的实现和实验

张治国

垂直多结光伏型集成硅X射线探测器的实现和实验

张治国
PDF
导出引用
  • 介绍垂直多结器件的结构, 给出了热迁移制结的工艺条件和结果; 介绍了处理器件电极引线的隔离线方法, 解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题, 解决了把所有P型区域连接起来的问题, 达到了敏感区金属零遮挡的目的. 描述了利用展宽电极尺度的方法实现多单元器件的集成; 给出了X光强与光电流电压之间的数学模型和几个重要参数, 介绍了器件输出电压与X光强度之间的测量关系, 理论与实际情况符合得非常好. 最后对测量数据做了分析, 证明器件有足够的灵敏度和分辨率.
    • 基金项目: 福建省高校服务海西建设重点项目(批准号: A100)和内蒙古自然科学基金(批准号: 86044)资助的课题.
    [1]

    Brambilla A, Buffet P O, Gonon G, Rinkel J, Moulin V, Boudou C, Verger L 2013 IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 408

    [2]

    Koenig T, Hamann E, Procz S, Ballabriga R, Cecilia A, Zuber M, Llopart X, Campbell M, Fauler A, Baumbach T, Fiederle M 2013 IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 4713

    [3]

    Rocha J G, Dias R A, Goncalves L, Minas G, Ferreira A, Costa C M, Mendez S L 2009 IEEE Sensors J. 9 1154

    [4]

    Ryu S G, Tsuru T G, Nakashima S, Takeda A, Arai Y, Miyoshi T, Ichimiya R, Ikemoto Y, Matsumoto H, Imamura T, Ohmoto T, Iwata A 2011 IEEE Trans. Nucl. Sci. 58 2528

    [5]

    Porro M, Andricek L, Aschauer S, et al. 2011 IEEE Trans. Nucl. Sci. 59 3339

    [6]

    Kim H S, Han S W, Yang J H, et al. 2013 IEEE J. Solid-St. Circ. 48 541

    [7]

    Mikerov V, Koshelev A, Ozerov O 2013 IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 963

    [8]

    Guo C, Xu R K, Lee Z H, Xia G X, Ning J M, Song F J 2004 Acta Phys. Sin. 53 1331 (in Chinese) [郭存, 徐荣昆, 李正宏, 夏广新, 宁家敏, 宋凤军 2004 物理学报 53 1331]

    [9]

    Andrii O S, Volodimir Y D 2012 Radiation Measurements 47 27 e29

    [10]

    Zhao X L, Kang X, Chen L, Zhang Z B, Liu J L, Ouyang X P, Peng W B, He Y N 2014 Acta Phys. Sin. 63 098502 (in Chinese) [赵小龙, 康雪, 陈亮, 张忠兵, 刘金良, 欧阳晓平, 彭文博, 何永宁 2014 物理学报 63 098502]

    [11]

    Yu B, Chen B L, Hou L F, Su M, Huang T X, Liu S Y 2013 Acta Phys. Sin. 62 098502 (in Chinese) [余波, 陈伯伦, 侯立飞, 苏明, 黄天晅, 刘慎业 2013 物理学报 62 098502]

    [12]

    Akarin I, Joseph L K, Maxim S, Paul J S 2011 Org. Electron. 12 1903

    [13]

    Miller N A, Neil G C O', Beall J A, Hilton G C, Irwin K D, Schmidt D R, Vale L R, Ullom J N 2008 Appl. Phys. Lett. 92 163501

    [14]

    Aghamir F M, Behbahani R A 2014 Chin. Phys. B 23 065203

    [15]

    Zhang Z G 2006 Chin. J. Semicond. 27 1294 (in Chinese) [张治国 2006 半导体学报 27 1294]

    [16]

    Cline H E, Anthony T R 1976 J. Appl. Phys. 47 2325

    [17]

    Cline H E, Anthony T R 1976 J. Appl. Phys. 47 2332

    [18]

    Anthony T R, Cline H E 1976 J. Appl. Phys. 47 2550

    [19]

    Zhang Z H, Wu Q L 1994 Semicond. Technol. 2 55 (in Chinese) [张治国, 吴巧兰 1994 半导体技术 2 55]

  • [1]

    Brambilla A, Buffet P O, Gonon G, Rinkel J, Moulin V, Boudou C, Verger L 2013 IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 408

    [2]

    Koenig T, Hamann E, Procz S, Ballabriga R, Cecilia A, Zuber M, Llopart X, Campbell M, Fauler A, Baumbach T, Fiederle M 2013 IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 4713

    [3]

    Rocha J G, Dias R A, Goncalves L, Minas G, Ferreira A, Costa C M, Mendez S L 2009 IEEE Sensors J. 9 1154

    [4]

    Ryu S G, Tsuru T G, Nakashima S, Takeda A, Arai Y, Miyoshi T, Ichimiya R, Ikemoto Y, Matsumoto H, Imamura T, Ohmoto T, Iwata A 2011 IEEE Trans. Nucl. Sci. 58 2528

    [5]

    Porro M, Andricek L, Aschauer S, et al. 2011 IEEE Trans. Nucl. Sci. 59 3339

    [6]

    Kim H S, Han S W, Yang J H, et al. 2013 IEEE J. Solid-St. Circ. 48 541

    [7]

    Mikerov V, Koshelev A, Ozerov O 2013 IEEE Trans. Nucl. Sci. 60 963

    [8]

    Guo C, Xu R K, Lee Z H, Xia G X, Ning J M, Song F J 2004 Acta Phys. Sin. 53 1331 (in Chinese) [郭存, 徐荣昆, 李正宏, 夏广新, 宁家敏, 宋凤军 2004 物理学报 53 1331]

    [9]

    Andrii O S, Volodimir Y D 2012 Radiation Measurements 47 27 e29

    [10]

    Zhao X L, Kang X, Chen L, Zhang Z B, Liu J L, Ouyang X P, Peng W B, He Y N 2014 Acta Phys. Sin. 63 098502 (in Chinese) [赵小龙, 康雪, 陈亮, 张忠兵, 刘金良, 欧阳晓平, 彭文博, 何永宁 2014 物理学报 63 098502]

    [11]

    Yu B, Chen B L, Hou L F, Su M, Huang T X, Liu S Y 2013 Acta Phys. Sin. 62 098502 (in Chinese) [余波, 陈伯伦, 侯立飞, 苏明, 黄天晅, 刘慎业 2013 物理学报 62 098502]

    [12]

    Akarin I, Joseph L K, Maxim S, Paul J S 2011 Org. Electron. 12 1903

    [13]

    Miller N A, Neil G C O', Beall J A, Hilton G C, Irwin K D, Schmidt D R, Vale L R, Ullom J N 2008 Appl. Phys. Lett. 92 163501

    [14]

    Aghamir F M, Behbahani R A 2014 Chin. Phys. B 23 065203

    [15]

    Zhang Z G 2006 Chin. J. Semicond. 27 1294 (in Chinese) [张治国 2006 半导体学报 27 1294]

    [16]

    Cline H E, Anthony T R 1976 J. Appl. Phys. 47 2325

    [17]

    Cline H E, Anthony T R 1976 J. Appl. Phys. 47 2332

    [18]

    Anthony T R, Cline H E 1976 J. Appl. Phys. 47 2550

    [19]

    Zhang Z H, Wu Q L 1994 Semicond. Technol. 2 55 (in Chinese) [张治国, 吴巧兰 1994 半导体技术 2 55]

  • 引用本文:
    Citation:
计量
  • 文章访问数:  1643
  • PDF下载量:  187
  • 被引次数: 0
出版历程
  • 收稿日期:  2014-06-11
  • 修回日期:  2014-08-21
  • 刊出日期:  2014-12-05

垂直多结光伏型集成硅X射线探测器的实现和实验

  • 1. 泉州师范学院功能材料研究所, 泉州 362000;
  • 2. 泉州师范学院物理与信息工程学院, 泉州 362000
    基金项目: 

    福建省高校服务海西建设重点项目(批准号: A100)和内蒙古自然科学基金(批准号: 86044)资助的课题.

摘要: 介绍垂直多结器件的结构, 给出了热迁移制结的工艺条件和结果; 介绍了处理器件电极引线的隔离线方法, 解决了经过热迁移掺杂后光刻电极套不准的难题, 解决了把所有P型区域连接起来的问题, 达到了敏感区金属零遮挡的目的. 描述了利用展宽电极尺度的方法实现多单元器件的集成; 给出了X光强与光电流电压之间的数学模型和几个重要参数, 介绍了器件输出电压与X光强度之间的测量关系, 理论与实际情况符合得非常好. 最后对测量数据做了分析, 证明器件有足够的灵敏度和分辨率.

English Abstract

参考文献 (19)

目录

    /

    返回文章
    返回