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缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响

李群 屈媛 班士良

缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响

李群, 屈媛, 班士良
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-11-22
  • 修回日期:  2017-01-09
  • 刊出日期:  2017-04-05

缓冲层对量子阱二能级系统中电子子带间跃迁光吸收的影响

  • 1. 内蒙古大学物理科学与技术学院, 呼和浩特 010021
  • 通信作者: 班士良, slban@imu.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:61274098,11304142)资助的课题.

摘要: 由于ZnO缓冲层对纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO有限深单量子阱结构左垒的限制作用,导致阱和右垒的尺寸、Mg组分值等因素将影响系统中形成二能级.本文考虑内建电场、导带弯曲及材料掺杂对实际异质结势的影响,利用有限差分法数值求解Schrdinger方程,获得电子的本征能级和波函数,探讨ZnO缓冲层对此类量子阱形成二能级系统的尺寸效应及三元混晶效应的影响;利用费米黄金法则探讨缓冲层、左垒、阱及右垒宽度和三元混晶效应对此类量子阱电子子带间跃迁光吸收的影响.计算结果显示:对于加入ZnO缓冲层的ZnO/MgxZn1-xO有限深单量子阱二能级系统,左垒宽度临界值会随着阱宽和Mg组分值的增大而逐渐减小,随着右垒宽度和缓冲层厚度的增大而逐渐增大;量子阱中电子子带间跃迁光吸收峰会随着左垒、右垒尺寸以及Mg组分的增大发生蓝移,随着阱宽增大而发生红移.本文所得结果可为改善异质结器件的光电性能提供理论指导.

English Abstract

参考文献 (22)

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