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外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

席晓文 柴常春 刘阳 杨银堂 樊庆扬

外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

席晓文, 柴常春, 刘阳, 杨银堂, 樊庆扬
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  • 结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.
      通信作者: 席晓文, xixw841003@163.com
    • 基金项目: 中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室开放基金(批准号:2015-0214.XY.K)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2016-11-16
  • 修回日期:  2017-01-10
  • 刊出日期:  2017-04-05

外界条件在电磁脉冲对GaAs赝高电子迁移率晶体管损伤过程中的影响

  • 1. 西安电子科技大学微电子学院, 教育部宽禁带半导体材料与器件国家重点实验室, 西安 710071
  • 通信作者: 席晓文, xixw841003@163.com
    基金项目: 

    中国工程物理研究院复杂电磁环境科学与技术重点实验室开放基金(批准号:2015-0214.XY.K)资助的课题.

摘要: 结合器件仿真软件Sentaurus TCAD,建立了GaAs赝高电子迁移率晶体管器件的电磁脉冲损伤模型.基于此模型,从信号参数和外接电阻两个方面出发讨论了外界条件对器件电磁脉冲损伤效应的影响.结果表明,信号参数的改变能够显著影响器件的损伤时间:信号幅度通过改变器件的吸收能量速度来影响器件的损伤效应,其与器件损伤时间成反比;信号上升时间的改变能够提前或延迟器件的击穿点,其与器件损伤时间成正比.器件外接电阻能够减弱器件的电流沟道,进而延缓器件的损伤进程,且源极外接电阻的影响更加明显.

English Abstract

参考文献 (21)

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