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晶面偏角对利用Voigt函数法计算硅单晶本征晶格应变的影响

朱杰 姬梦 马爽

晶面偏角对利用Voigt函数法计算硅单晶本征晶格应变的影响

朱杰, 姬梦, 马爽
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  • 研究并制备了不同晶面偏角的Si(111)单晶,经过研磨和抛光使表面粗糙度低至3.4达到超光滑水平,消除了表面和亚表面损伤层以及其所产生的应力变化.利用高精度X射线衍射仪分别测定了在不同晶面偏角条件下衍射曲线的半高全宽和积分宽度.应用Voigt函数法分析计算了微观应变,通过理论计算和实验对比可知,Si(111)单晶在晶面偏角达到0.749时,偏角本身所带来的衍射峰半高全宽变化使计算出的应变值误差大于5%.研究结果为其他晶体类似研究提供了重要参考.
      通信作者: 朱杰, jzhu008@tongji.edu.cn
    • 基金项目: 国家自然科学基金(批准号:11575127)和国家重点研发计划(批准号:2017YFA0403304)资助的课题.
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出版历程
  • 收稿日期:  2017-09-15
  • 修回日期:  2017-11-16
  • 刊出日期:  2018-02-05

晶面偏角对利用Voigt函数法计算硅单晶本征晶格应变的影响

  • 1. 同济大学物理科学与工程学院, 精密光学工程与技术研究所, 先进微结构材料教育部重点实验室, 上海 200092
  • 通信作者: 朱杰, jzhu008@tongji.edu.cn
    基金项目: 

    国家自然科学基金(批准号:11575127)和国家重点研发计划(批准号:2017YFA0403304)资助的课题.

摘要: 研究并制备了不同晶面偏角的Si(111)单晶,经过研磨和抛光使表面粗糙度低至3.4达到超光滑水平,消除了表面和亚表面损伤层以及其所产生的应力变化.利用高精度X射线衍射仪分别测定了在不同晶面偏角条件下衍射曲线的半高全宽和积分宽度.应用Voigt函数法分析计算了微观应变,通过理论计算和实验对比可知,Si(111)单晶在晶面偏角达到0.749时,偏角本身所带来的衍射峰半高全宽变化使计算出的应变值误差大于5%.研究结果为其他晶体类似研究提供了重要参考.

English Abstract

参考文献 (25)

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